keywords:"termální svazky atomů kyslíku" - Výsledky hledání - Digitální repozitář

host :: přihlásit Digitální repozitář
		Hledej		Nový záznam		Nápověda		O repozitáři

Hlavní stránka > Výsledky hledání: keywords:"termální svazky atomů kyslíku"

Hledej:

Tipy pro vyhledávaní :: Rozšířené hledání

Hledej ve sbírkách:

Seřadit podle:	Zobrazit výsledky:	Výstupní formát:

	Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů Šikula, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce) Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace. Úplný záznam
	Application of oxygen atomic beams Mikerásek, Vojtěch ; Čech, Vladimír (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce) This diploma thesis describes the design, construction, and testing of a thermal atomic oxygen beam source for the growth of thin oxide layers under ultra-high vacuum conditions. The first chapter discusses the theory associated with thermal dissociation and atomic beam formation. Then, the main types of atomic oxygen beam sources and their applications are presented. The experimental part is devoted to the actual design, construction and assembly of the device. The last part describes the testing of the effect of atomic oxygen on the formation of oxide layers (stoichiometrically Ga2O3) on Ga nanodroplets prepared by molecular beam epitaxy on a Si substrate. The chemical composition and morphology of the prepared nanostructures are studied by XPS, SEM and TEM. Úplný záznam
	Návrh nového termálního disociačního zdroje kyslíkových atomů Šikula, Marek ; Bábor, Petr (oponent) ; Mach, Jindřich (vedoucí práce) Pomocí atomárních zdrojů kyslíku se vyrábí a studují ultratenké oxidové vrstvy, především tzv. high-k vrstvy. Ty jsou základem CMOS tranzistorů a DRAM kondenzátorů. Tato práce zpracovává teorii atomárních svazků kyslíku a způsoby jejich získání. Na základě těchto podkladů je vytvořen konstrukční návrh unikátního typu disociačního atomárního zdroje kyslíku. Návrh byl testován jednoduchými experimenty. Dale je vypracován 3D model zdroje a kompletní výkresová dokumentace. Úplný záznam

Chcete být upozorněni, pokud se objeví nové záznamy odpovídající tomuto dotazu?
Přihlásit se k odběru RSS.

Digitální repozitář :: :: :: ::
Powered by v1.1.2
Spravuje

Tato stránka je dostupná také v následujících jazycích:
Česky English